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Insbesondere soll dadurch das Moore'sche Gesetz, nach dem sich die Datendichte alle 18 Monate verdoppelt, auch über das Jahr 2015 hinaus Gültigkeit haben.
Die neue Chip-Technologie verwendet Transistoren mit Indium-Antimonid (InSb), eine Verbindung die heute bereits bei RF-Verstärkern, Mikrowellen-Anwendungen und Halbleiter-Lasern verwendet wird.
Der Prototypen-Transistor hat eine Gate-Länge von lediglich 85 nm und benötigt eine Speisespannung von 0,5 Volt.
Dank 50% mehr Leistung und einer um den Faktor 10 verringerten Leistungsaufnahme sind schnellere Anwendungen mit längerer Akku-Betriebszeit realisierbar.